【答案】    大于  小于  三角锥形  sp3  GaF3是离子晶体，GaCl3是分子晶体，离子晶体GaF3的熔沸点高  原子晶体  共价键 

【解析】试题分析: （1）As为ⅤA族33号元素，电子排布式为：1s22s22p63s23p63d104s24p3；   
（2）同一周期，原子序数越小半径越大，同周期第一电离能从左到右，逐渐增大；   
（3）AsCl3中价层电子对个数=σ键个数+孤电子对个数=3+1 =4，所以原子杂化方式是sp3，由于有一对孤对电子对，分子空间构型为三角锥形；   
（4）GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是GaF3为离子晶体，GaCl3为分子晶体，离子晶体的熔点高；   
（5）GaAs的熔点为1238℃，熔点较高，以共价键结合形成属于原子晶体，密度为ρ g cm﹣3，根据均摊法计算，As：   ，Ga：4×1=4，rGapm和rAspm，故其晶胞中原子所占的体积V1=  ×10﹣30，1个晶胞的体积V2= ，将V1、V2带入计算 GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率。

解析：根据以上分析，（1）As为ⅤA族33号元素，电子排布式为：1s22s22p63s23p63d104s24p3；   
（2）根据元素周期律，Ga与As位于同一周期，Ga原子序数小于As，故半径Ga大于As，同周期第一电离能从左到右，逐渐增大，故第一电离能Ga小于As；

   （3）AsCl3中价层电子对个数=σ键个数+孤电子对个数=3+1 =4，所以原子杂化方式是sp3，由于有一对孤对电子对，分子空间构型为三角锥形；   
（4）GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是GaF3为离子晶体，GaCl3为分子晶体，离子晶体的熔点高；   

（5）GaAs的熔点为1238℃，熔点较高，以共价键结合形成属于原子晶体，密度为ρ gcm﹣3，根据均摊法计算，As： ，Ga：4×1=4，故其晶胞中原子所占的体积V1=  ×10﹣30，晶胞的体积V2= ，故GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为 将V1、V2带入计算得百分率= ×100%=。